1. <span id="qx1rn"></span>

        <form id="qx1rn"><object id="qx1rn"></object></form>

        <form id="qx1rn"></form>
        返回首頁
        深圳市港晟電子有限公司
        CONQUER ELECTRONICS SHENZHEN CO.,LTD
        服務熱線:0755-29362249 |       
        首頁 - 品牌電子元件 - 英諾賽科 (Innoscience)
        名    稱: 英諾賽科Innoscience公司 GaN氮化鎵
        所屬類別: 英諾賽科 (Innoscience)
        摘    要: 英諾賽科Innoscience, 第三代半導體, 8英寸硅基氮化鎵晶圓, 低壓高壓(30V-650V)氮化鎵功率器件

         

        公司簡介
        8 英寸硅基氮化鎵
        IDM
        專利數量 500+
        創立:2015 年 12 月
        員工:1000+ (R&D 250+)
        基地:珠海,蘇州,
        深圳
        產品: 30V-650V
        GaN FET
        珠海
        產能 : 4K 晶圓 / 月
        蘇州
        產能 : 65K 晶圓 / 月
        (2021)
        英諾賽科氮化鎵平臺
        市場體系
        銷售
        市場
        氮化鎵芯片產品
        FAE
        低壓
        (≤200伏 )
        高壓
        (650 伏 )
        氮化鎵
        IC
        射頻
        RF
        AE
        8 英寸硅基氮化鎵 IDM 制造
        器件設計
        外延生長
        制程工藝
        可靠性測試
        失效分析
        經驗豐富的研發與產業化團隊
        LG
        EPC
        TSMC
        MPS
        UMC
        SMIC
        TI
        SAMSUNG
        8 英寸的優勢
        6 英寸
        晶圓面積增加 84%
        8 英寸
        優勢
        增加有效面積,總體成本更低 更優質的上下游產業鏈配套
        更先進的工藝技術 更高的生產效率
        IDM 模式
        IDM
        模式
        商業模式優點
        IDM 模式
        ◆ 集芯片設計,外延生長,芯片制造,
        可靠性與失效分析等于一體的全產業
        鏈生產模式
        8 英寸硅基氮化鎵,產品成本
        與價格具有絕對競爭優勢
        完善的可靠性與失效分析平臺,實現更
        快的產品迭代升級
        充足的產能
        珠海 (4K/ 月 )
        蘇州 (65K/月 )-2021
        FAB
        FAB
        About
        this area
        130m
        UT
        H2 Dormitory
        Office
        橙框內部分
        已完工 .
        116m
        一期
        163m
        二期
        480m
        110m
        590m
        設備于20年9月搬入,通線調試中 ,預計21年6月量產
        珠海 8 英寸 CMOS 兼容的產線
        黃光區
        介質薄膜及退火區
        擴散和離子注入區
        蝕刻區
        測量區
        8 英寸 MOCVD GaN 外延
        可靠性和失效分析實驗室
        半自動晶圓級測試系統
        全自動晶圓級測試系統
        DC HTGB/HTRB
        帶監控 HTGB/HTRB
        TC
        HAST
        THB
        系統級驗證
        Reflow oven
        英諾賽科的優勢總結
        GaN 將可能取代 Si MOSFET: 市場前景巨大 !
        新的應用機會 (5G, IOT, AI, 大數據 , 智慧城市等 )
        新的要求 : 更高的頻率,更小的尺寸
        1
        硅基
        氮化鎵
        IDM
        2
        Know-
        How
        經驗豐富的產業化團隊
        外延
        可靠性
        4
        自有
        晶圓廠
        器件設計
        外延生長
        制造
        可靠性測試
        失效分析
        系統測試
        3
        成本優勢
        自有技術專利
        IMEC 授權
        8 英寸
        制造
        相比 6 英寸面積增大 84%
        技術迭代,單顆芯片 die size 減小
        世界上最大的 GaN-on-Si 產能計劃: ① 珠海 4K/月 ② 吳江 65K/ 月(建設中)
        氮化鎵為戰略新興產業帶來新的解決方案
        GaN 核心
        性能優勢
        高頻
        開關速度快
        低阻抗/面積
        高頻
        與硅器件
        性能對比
        GaN
        Si
        5 倍以上優勢
        GaN
        Si
        10 倍以上優勢
        GaN
        Si
        2 倍以上優勢
        GaN
        Si
        2-4 倍以上優勢
        典型
        應用
        快充
        激光雷達
        數據中心
        5G
        應用
        優勢
        可大幅度減小終端
        應用產品體積并大幅
        提高功率轉化效率
        開關速度
        可提高 10 倍
        功率密度提升 2 倍
        節能 50%
        較 LDMOS
        工作頻率提高 2 倍以上
        產品
        ◆ 產品電壓等級覆蓋 40-650V,廣泛應用于快充,激光雷達,DC-DC等領域,目前累計出貨量已超 六百萬顆
        WLCSP 2x2
        WLCSP 2x3
        WLCSP 3x5
        DFN
        Vds(V) P/N Configuration Rds(on)(mΩ)typ. Id(A)cont. Package
        100 INN100W08 Single 36 4 WLCSP 2x2
        INN100W12 Single 6 16 WLCSP 5x3
        INN100L12 Single 6 16 FCLGA
        INN100W14 Single 19 7 WLCSP 3x5
        650 INN650D01 Single 130 16.5 DFN 8x8
        INN650DA01 Single 130 16.5 DFN 5x6
        INN650D02 Single 200 11 DFN 8x8
        INN650D02A Single 200 11 DFN 8x8
        INN650DA02A Single 200 11 DFN 5x6
        INN650DA04 Single 400 5.5 DFN 5x6
        650V 氮化鎵 Roadmap
        Road Map
        Ron (mOhm)
        400
        300
        200
        130
        80
        量產
        開發中
        50
        25
        30W
        65W
        300W
        1kW
        3kW
        6.6kW
        100V 氮化鎵 Roadmap
        Ron (mOhm)
        量產
        開發中
        36
        Road Map
        19
        激光雷達
        7
        4
        2
        300W
        750W
        1kW
        廣泛的應用領域
        消費
        工業
        汽車
        快充
        無人機
        D 類功放
        5G
        AI
        數據中心
        光伏
        航天
        自動駕駛
        OBC
        方案和 Demo
        65W 超薄 PD Demo
        65W 超小 PD Demo
        100W 2C2A Demo
        65W A+2C Demo
        尺寸:
        26mm*27mm*44mm
        功率密度: 34W/in3
        尺寸:
        50mm*56mm*13mm
        功率密度: 29W/in3
        尺寸: 46mm*46mm*23mm
        功率密度: 21.8W/in3
        尺寸:
        56mm*71mm*22.5mm
        功率密度: 18W/in3
        Demo 板目錄:
        Demo編號 輸出功率/(接口) 拓撲
        DMB001 60W/(單C) QR flyback
        DMB002 65W/(單C 超薄) QR flyback
        DMB003 65W/(A+C) QR flyback + buck
        DMB004 100W/(單C) QR flyback
        DMB005 100W/(2A+2C) Boost PFC + QR flyback + buck
        DMB006 65W/(單C 超小) QR flyback
        DMB007 200W/(2A+3C) Boost PFC + LLC + buck
        DMB008 20W/(單C) QR flyback
        DMB009 30W/(單C) QR flyback
        DMB012 120W/(單C) Boost PFC + ACF
        DMB013 200W/(LED Driver) Boost PFC + LLC
        DMB014 150W/(LED Driver) Boost PFC + LLC
        DMB015 65W/(A+2C) QR flyback + buck
        關于港晟
        公司簡介
        企業使命
        發展歷程
        經營范圍
        公司資質
        品牌電子元件
        富鼎先進 (APEC)
        美浦森 (Maplesemi)
        節能元件 (PFC)
        力林 (PowerForest)
        兆龍 (CT Micro)
        電源方案
        環球半導體 5V 12V 24V
        英諾賽科 GaN方案
        聯系我們
        聯系港晟
        品牌伙伴
        地理位置
        124042_808032
        版權所有 © 深圳市港晟電子有限公司 備案號:粵ICP備11078925號 | 網站設計與維護:湛藍設計 

        (工作日:9:00-17:30)

        在線QQ

        貿易類 2355858227

        工廠類 2355858257

        技術  2355858263

        客服  2355859132

        客服電話0755-29362249